硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响

• 作者: 孙建 孙福河 岳强 张晓丹 熊绍珍 王光红 耿新华 许盛之 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单室 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅 硼
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1293-1297
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.099

摘要

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的硼对本征微晶i材料电学特性和结构特性的影响进行了详细研究.测试结果表明:单室沉积p层后的硼降低了微晶i层材料的暗电导,增加了材料的光敏性;由于硼对i层污染程度的不同,使得材料的激活能发生了变化;腔室中残余的硼也导致微晶硅薄膜的结晶状况恶化,同时弱化了材料的(220)择优取向.而在较高功率和较强氢稀释下制备的晶化率较高,(220)晶向明显择优的材料受硼污染影响相对减小.