PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化的影响

• 作者: 周炳卿 翁秀章 谷鑫
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅薄膜 PECVD 微晶硅薄膜 微结构
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 297-301
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2948字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,以硅烷和氢气为反应气源,通过改变射频功率、硅烷浓度来制备氢化硅基薄膜材料.研究了沉积参数的变化对硅基薄膜材料微结构的影响.通过红外吸收谱、紫外可见光谱以及X射线衍射谱对样品材料进行表征.实验结果表明,随着射频功率的增加,薄膜中氢含量也相应地增大,而光学带隙表现出先增大后减小的规律.当硅烷浓度逐渐降低时,薄膜材料的光学带隙相应地降低,并从非晶硅薄膜逐渐向微晶硅薄膜材料转变,且薄膜材料在(111)方向的晶粒尺度达到了10.92 nm.实现了在高沉积压强、大射频功率、低硅烷浓度条件下可以有效优化改善硅基薄膜质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周炳卿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	45	134	6.0	8.0
2	谷鑫	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	2	2	1.0	1.0
3	翁秀章	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	2	2	1.0	1.0