H2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响

• 作者: 刘萍 卢景霄 张丽伟 杨仕娥 王生钊 王红娟 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 可再生能源
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 氢稀释 微晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试验
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.42
• 字数: 1718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-5292.2006.04.007

摘要

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H2/(H2+SiH4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响.结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变.当D=99%时,晶粒突然变大,晶化率显著提高.因此,我们认为此时的硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅.