氢在微晶硅薄膜低温沉积及退火过程中的影响

• 作者: 张丽伟 李瑞 杨培霞 樊志琴 蔡根旺
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅薄膜 PECVD 低温沉积 退火
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 370-373
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1469字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在玻璃衬底上不同的氢稀释比下低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜.利用拉曼(Raman)散射谱研究显示当H2稀释比从95%升高到99%,所得硅膜晶粒大小从2.98 nm增加8.79 nm,晶化率从24%增加到91%;暗电导测试结果从1.32×10-6scm-1增加到7.24×10-3scm-1;沉积速率却大大降低.沉积出的薄膜在进行高温炉退火后,扫描电镜(SEM)显示样品表面孔洞变大增多,推测是氢逸出所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨培霞		9	61	5.0	7.0
2	李瑞		35	173	8.0	11.0
4	樊志琴		30	115	6.0	9.0
7	蔡根旺		17	66	5.0	7.0
8	张丽伟		15	55	5.0	6.0