退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响

• 作者: 李洪涛 焦栋茂 王新征 蒋百灵 郭烈萍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 退火时间 非晶硅薄膜 晶化 扩散
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 370-373,378
• 分类号: O484
• 字数: 1905字
• 语种: 中文

摘要

基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/ Si…Al/ Si/ glass周期性结构的薄膜.采用真空退火炉对Al/ Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了不同退火时间下Al/ Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响机理.研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,在退火过程的初期,晶态硅薄膜的生长主要来源于因Al的存在而形成的硅初始品核数量增加的贡献.随退火时间的延长,晶态硅薄膜的生长主要是依靠临界浓度线已推进区域中未参与形核的硅原子扩散至初始品核位置并进行外延生长来实现的.经500℃退火1 h后,Al/ Si薄膜的截面形貌巾出现了沿Si(111)晶面生长的栾品组织.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋百灵	西安理工大学材料科学与工程学院	241	5240	40.0	64.0
2	李洪涛	西安理工大学材料科学与工程学院	23	146	8.0	10.0
3	焦栋茂	西安理工大学材料科学与工程学院	3	22	2.0	3.0
4	王新征	西安理工大学材料科学与工程学院	1	12	1.0	1.0
5	郭烈萍	西安理工大学材料科学与工程学院	2	22	2.0	2.0