金属Ni诱导非晶硅薄膜晶化研究

• 作者: 张良艳 林祖伦 祁康成 韦新颖
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导晶化 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜与光电
• 页码范围: 10-12
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.01.003

摘要

采用金属镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜,研究了不同退火温度和退火时间对晶化效果的影响,使用SEM、EDS和XRD分析了薄膜的晶化效果.实验发现,非晶硅薄膜在460 ℃以下退火不能晶化,在460 ℃退火30 min已全部晶化;随着退火温度升高或退火时间延长,晶化效果变好;退火2 h之后晶体生长近乎饱和.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
3	张良艳	电子科技大学光电信息学院	1	5	1.0	1.0
4	韦新颖	电子科技大学光电信息学院	4	31	4.0	4.0