电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜

• 作者: 夏冬林 张兴良 李蔚 王慧芳 石正忠
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 等离子体增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 862-866,871
• 分类号: O484.1
• 字数: 3713字
• 语种: 中文

摘要

以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉中,在外加电场辅助条件下,在氮气气氛下对薄膜样品进行退火制备多晶硅薄膜.本论文研究了不同外加电场强度和退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.利用XRD、SEM和Raman等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌和晶化程度进行了表征.实验结果表明,在外加横向电场辅助铝诱导晶化的条件下,非晶硅薄膜在500 ℃低温下成功地转化成多晶硅薄膜,并且随着横向电场强度的增大以及退火时间的延长,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
2	石正忠	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	6	37	4.0	6.0
3	张兴良	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	6	29	3.0	5.0
4	王慧芳	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	5	27	3.0	5.0
5	李蔚	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	2	8	2.0	2.0