金属诱导非晶硅薄膜低温晶化

• 作者: 周雪梅 徐重阳 曾祥斌 王长安 赵伯芳 饶瑞
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导 非晶硅薄膜 低温晶化
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 24-25
• 页数: 2页
• 分类号: O484.1|TN304.055
• 字数: 1357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2000.04.011

摘要

介绍了一种非晶硅(a-Si)薄膜低温晶化的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化.研究了各种a-Si/金属双层膜退火后的晶化情况.利用X射线衍射分析了结晶硅膜的结构,通过光学显微镜观察了Al诱导a-Si薄膜晶化后的表面形貌,并初步探讨了金属诱导非晶硅薄膜低温晶化的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	饶瑞	华中科技大学电子科学与技术系	9	64	6.0	8.0
2	徐重阳	华中科技大学电子科学与技术系	85	592	12.0	19.0
3	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0
4	王长安	华中科技大学电子科学与技术系	23	163	7.0	11.0
5	赵伯芳	华中科技大学电子科学与技术系	11	38	4.0	6.0
6	周雪梅	华中科技大学电子科学与技术系	9	42	4.0	6.0