非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶

• 作者: 倪晓昌 张建民 李莉 王光伟
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导结晶 金属诱导横向结晶 固相反应 扩散 电场增强横向诱导结晶 成核激活能 晶粒生长
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 356-366
• 页数: 11页
• 分类号: TN304.055|TN304.8|TN321+.5
• 字数: 6232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.007

摘要

分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理.简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用.概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等.对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光伟	天津工程师范大学电子工程系	18	78	5.0	8.0
2	李莉	天津工程师范大学电子工程系	13	63	5.0	7.0
3	张建民	天津工程师范大学电子工程系	17	76	5.0	8.0
4	倪晓昌	天津工程师范大学电子工程系	3	16	2.0	3.0