非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响

• 作者: 侯国付 刘伯飞 孙建 张德坤 张晓丹 白立沙 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 非晶硅缓冲层 非晶硅锗薄膜太阳电池 带隙 界面
• 年，卷（期）: 2013,（24）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 248810-1-248801-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.248801

摘要

针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题，通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层，不仅有效缓和了带隙失配，降低界面复合，同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布，从而提高了电池的收集效率.进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计，在仅采用Al背电极时，单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%.