用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究

• 作者: 徐静平 程碧胜 薛俊明 雷青松
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅锗 氢稀释率 衬底温度 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 1514-1518
• 页数: 5页
• 分类号: TK514
• 字数: 1807字
• 语种: 中文

摘要

利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响.通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜.在此基础上制备出效率为6.65％的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学光学与电子信息学院	88	358	9.0	13.0
2	雷青松	华中科技大学光学与电子信息学院	12	56	5.0	6.0
4	薛俊明		15	43	5.0	5.0
7	程碧胜	华中科技大学光学与电子信息学院	1	7	1.0	1.0