p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响

• 作者: 任慧志 孙建 张德坤 管智贇 耿新华 薛俊明 赵颖 韩建超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅 太阳电池 缓冲层 p/i界面
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 1368-1371
• 页数: 4页
• 分类号: O47
• 字数: 1769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.06.036

摘要

本文研究了pin型非晶硅(a-Si)太阳电池p/i界面掺碳缓冲层(C-buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性的影响.研究发现,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加,太阳电池的初始效率有所增加,当沉积时间增加到约60s时,电池的初始效率达最大值,而后随着沉积时间的继续增加,电池效率下降.而在太阳电池的稳定性方面,当缓冲层沉积时间小于50s时,随着沉积时间的增加,电池衰退率增大;大于50s后,电池的衰退率又随沉积时间的增大而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛俊明	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	26	157	7.0	11.0
2	耿新华	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	62	364	13.0	17.0
3	孙建	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	67	311	10.0	14.0
4	赵颖	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	105	1195	16.0	33.0
5	韩建超		1	3	1.0	1.0
6	张德坤		1	3	1.0	1.0
7	任慧志		1	3	1.0	1.0
8	管智贇		1	3	1.0	1.0