非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响

• 作者: 侯国付 孙健 张建军 张德坤 张晓丹 李贵君 耿新华 薛俊明 赵颖 陈新亮 韩晓艳 魏长春
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超高频等离子增强化学气相沉积技术 非晶硅/微晶硅叠层电池 n/p隧穿结
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1548-1551
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.026

摘要

采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微品硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填允因子由60%提高剑63%.