微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响

• 作者: 侯国付 刘丽杰 刘云周 杨兴云 耿新华 董培 薛俊明 袁育杰 赵颖 韩晓艳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 孵化层 微晶硅薄膜 纵向均匀性 n-i-p太阳电池
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 3892-3897
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.06.098

摘要

采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用,微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度,改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性,进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能.