n型掺杂层结构对n-i-P型微晶硅电池性能和光致衰退特性的影响

• 作者: 侯国付 卢鹏 杨瑞霞 袁育杰 赵颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅 n-i-p结构太阳电池 光致衰退 晶化率
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 4330-4336
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用射频化学气相沉积法,制备了一系列具有不同晶化率n型掺杂层的n-i-p结构微晶硅薄膜太阳电池.发现本征层的结构很大程度上依赖于n型掺杂层的结构,特别是n/i界面处的孵化层厚度以及本征层的晶化率.该系列太阳电池在100 mW/c㎡的白光下照射400 h,实验结果证实了本征层晶化率最大(Xc(i)=65%)的电池性能表现出最低的光致衰退率.拥有非晶/微晶过渡区n型掺杂层的电池(本征层晶化率Xc(i)=54%)分别被白光、红光和蓝光照射,经过400 h的光照,发现红光下电池性能仅有2%的衰退,蓝光下衰退率约为8%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	赵颖	南开大学光电子薄膜技术与器件研究所	105	1195	16.0	33.0
3	侯国付	南开大学光电子薄膜技术与器件研究所	23	203	9.0	13.0
4	袁育杰	南开大学光电子薄膜技术与器件研究所	6	4	1.0	2.0
5	卢鹏	南开大学光电子薄膜技术与器件研究所	1	1	1.0	1.0