p-i-n型非晶硅薄膜电池P层材料制备及光学性能研究

• 作者: 张峰 李伟 汪沁 郭涛
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: RF-PECVD 氢化非晶碳化硅薄膜 非化学计量比 微观结构 光学带隙
• 年，卷（期）: 2011,（z1）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: O484.1
• 字数: 2366字
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜材料,借助紫外可见(UV-Vis)光谱、激光拉曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外(FTIR)光谱等手段,研究了p-i-n型非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳能电池p层a-SiC:H 薄膜材料的制备与光学性能.研究结果表明甲烷和硅烷掺杂比能影响a-Si:H薄膜成键情况,而射频功率一定程度上能影响薄膜沉积速率,该研究结果可为制备转换效率高、性能稳定的p-i-n型非晶硅薄膜太阳能电池提供支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	75	359	10.0	14.0
2	张峰	电子科技大学光电信息学院	9	38	3.0	6.0
3	汪沁	电子科技大学光电信息学院	1	0	0.0	0.0
4	郭涛	电子科技大学光电信息学院	2	0	0.0	0.0