氢化纳米非晶硅(na-Si:H)p-i-n太阳电池

• 作者: 刁宏伟 夏朝凤 孔光临 廖显伯 胡志华
• 来源期刊: 云南师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 数学
• 关键词: 纳米非晶硅 pin薄膜太阳电池 开路电压 PECVD
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 太阳能
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: O211.6
• 字数: 2965字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9793.2004.04.008

摘要

文章报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池.电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF).光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏朝凤	云南师范大学能源与环境科学学院	60	815	15.0	27.0
2	胡志华	云南师范大学能源与环境科学学院	17	121	5.0	10.0
4	廖显伯	中国科学院半导体研究所	31	378	7.0	19.0
7	刁宏伟	中国科学院半导体研究所	16	222	8.0	14.0
8	孔光临	中国科学院半导体研究所	7	70	4.0	7.0