微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

• 作者: 刁宏伟 励旭东 廖显伯 张世斌 曾湘波 王文静 许颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光学带隙 纳米硅 薄膜 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2915-2919
• 页数: 5页
• 分类号: TM91
• 字数: 2573字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.075

摘要

采用等离子增强化学气相沉积方法(PEVVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333 K,353 K和373 K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06 eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94 V.