PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备

• 作者: 刘石勇 刘路 李旺 牛新伟 王仕鹏 陆川 黄海燕
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚酰亚胺 n-i-p结构 激光划分绝缘 掩盖分割 非晶硅薄膜 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 页码范围: 2350-2353,2358
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3080字
• 语种: 中文

摘要

利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构.封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13％,电池的转化效率还存在较大的提升空间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王仕鹏		24	37	4.0	5.0
2	黄海燕		23	39	4.0	5.0
3	陆川		27	46	4.0	5.0
4	刘石勇		9	20	2.0	4.0
5	李旺		3	18	2.0	3.0
9	刘路		1	2	1.0	1.0
10	牛新伟		6	19	2.0	4.0