金属诱导非晶硅横向结晶机理研究

• 作者: 王跃林 金仲和
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导结晶 多晶硅 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1079-1082
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.2
• 字数: 5165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.019

摘要

本文主要研究金属诱导横向结晶速度与工艺条件的关系,探讨隐含在这些关系背后的制约因素.研究发现金属诱导横向结晶速度在长时间退火过程中下降;非晶硅本身在长时间退火过程中的变化是结晶速度下降的一个原因,而另外一个原因是在横向结晶过程中结晶前锋需要不断从镍覆盖区补充镍元素,而镍在硅中的扩散速度是有限的,因此,当结晶前锋离镍覆盖区距离远时,这种补充过程就开始制约横向生长速度.通过对这些结果的分析提出了金属诱导结晶的理论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金仲和	浙江大学信息与电子工程学系	144	1047	18.0	25.0
2	王跃林	浙江大学信息与电子工程学系	39	434	11.0	19.0