低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术

• 作者: 孟志国 王文
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 镍 金属诱导晶化 多晶硅 薄膜晶体管 显示器 低温电子技术
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 662-666
• 页数: 5页
• 分类号: TN454
• 字数: 4332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.05.006

摘要

使用金属镍诱导非晶硅晶化(MIC:metal-induced crystallization)技术,获得了低温(＜550℃)多晶硅.通常在镍覆盖区以外的晶化硅更加有用,这一技术被称为金属诱导横向晶化(MILC:metal-induced lateral crystallization)技术.通过对结晶动力学过程和材料特性的研究,提出了可同时适用于镍覆盖区和相连非覆盖区金属诱导结晶的同一晶化机制.虽然MILC多晶硅的材料特性明显优于固相晶化多晶硅的材料特性,薄膜晶体管沟道中存在MIC/MILC 的界面所形成的横向晶界会明显的降低其性能.若将这些界面从沟道中去除掉,即可获得可满足液晶和有机发光二极管等显示器进行系统集成所需的高性能器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文	香港科技大学电机电子工程系	16	97	5.0	9.0
2	孟志国	香港科技大学电机电子工程系	5	28	2.0	5.0