Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si:H)薄膜

• 作者: 凌志华 张志伟 荆海 赵玉环 黄金英
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化非晶硅 多晶硅 金属诱导晶化 金属诱导横向晶化
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 397-400
• 页数: 4页
• 分类号: TN27|O484.1
• 字数: 2242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.008

摘要

对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究.XRD测量结果表明非晶硅在500 ℃退火1 h后就已经全部晶化.金属诱导晶化的优选晶向为(220),而且晶粒随退火时间的延长而长大.非晶硅薄膜样品500 ℃下退火6 h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化,晶粒均匀,平均晶粒大小约为0.3 μm,而且已经发生横向晶化.EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化,除了少量残留在MILC多晶硅中外,其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿.500 ℃下退火20 h后样品的Raman测试结果也表明,金属离子向周边薄膜扩散,横向晶化了非晶硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	荆海		9	44	5.0	6.0
2	凌志华		3	23	2.0	3.0
3	黄金英		1	10	1.0	1.0
4	赵玉环		1	10	1.0	1.0
5	张志伟		1	10	1.0	1.0