铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征

• 作者: 周甫方 林揆训 梁锐生 罗志 陈一匡
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 外加电场
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 582-586
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2949字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.047

摘要

铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间,是制备多晶硅薄膜的一种重要方法.在此基础上,通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散,实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化.实验结果表明,外加电场,退火温度为400℃,退火时间为60min时,薄膜的晶化率大于60%;退火温度为450℃退火时间为30min时,薄膜已经呈现明显的晶化现象;退火温度为500℃退火时间为15min时,薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的3-4倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林揆训	汕头大学物理系	29	339	9.0	18.0
2	周甫方	汕头大学物理系	17	98	5.0	9.0
3	陈一匡	汕头大学物理系	3	44	2.0	3.0
4	罗志	汕头大学物理系	3	73	2.0	3.0
5	梁锐生	汕头大学物理系	2	43	2.0	2.0