非晶硅薄膜的制备及晶化研究

• 作者: 化麒麟 廖华 张力元 杨培志 段良飞 邓双
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅薄膜 磁控溅射 铝诱导晶化 多晶硅
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 可再生能源研究
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7699/j.ynnu.ns-2013-019

摘要

采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜,并用快速退火炉在不同温度下进行退火.利用台阶仪、拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征.结果表明:在功率120W,气压1.5～2.5pa,时间为3.5～4.5h的条件下可制备得非晶硅薄膜,Al诱导能降低晶化温度,并在500～600℃间存在一最佳晶化温度.