气体滞留时间对高速沉积的微晶硅薄膜性能的影响分析

• 作者: 孙建 张晓丹 耿新华 赵颖 郭群超 韩晓艳 魏长春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 气体滞留时间 高速沉积 微晶硅 超高频等离子体增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 2790-2795
• 页数: 6页
• 分类号: O37
• 字数: 3397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.053

摘要

实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了微晶硅硅薄膜的高速沉积,并通过改变气体总流量改变气体滞留时间,考察了气体滞留时间在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性和结构特性的影响.采用沉积速率达到12A/s的高速微晶硅工艺制备微晶硅电池,电池效率达到了5.3%.