微晶硅薄膜高速沉积及电学性质的研究

• 作者: 卢景霄 申陈海 陈永生
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: μc-Si:H 甚高频等离子体增强化学气相沉积 高速沉积 电学特性
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 7288-7293
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.104

摘要

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在高功率密度和高压强条件下,通过改变硅烷浓度和气体总流量对薄膜沉积参数进行了两因素优化,最终在硅烷浓度为4.5%,气体总流量为100 sccm条件下,获得沉积速率1.42 nm/s,电导激活能0.47 ev的优质硅薄膜;同时,通过单因素优化制备出沉积速率为2.1 nm/s的微晶硅薄膜.利用晶粒间界势垒模型和费米能级统计偏移模型对薄膜的电学特性和传导行为分别进行了研究分析,同时初步分析了"后氧化"对薄膜电学性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	申陈海	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	4	22	3.0	4.0