PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

• 作者: 石旺舟 邱春文 黄羽中
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD法 多晶硅薄膜 低温制备
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 201-204
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2003.03.011

摘要

在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiF4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍.分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFm Hn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石旺舟	汕头大学物理系	15	85	5.0	9.0
2	邱春文	汕头大学物理系	5	53	3.0	5.0
3	黄羽中	汕头大学物理系	1	20	1.0	1.0