基于PECVD制备多晶硅薄膜研究

• 作者: 温殿忠 赵晓锋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 多晶硅薄膜 晶粒 退火
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 1151-1154
• 页数: 4页
• 分类号: TM614
• 字数: 1893字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.050

摘要

基于PECVD以高纯SiH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜.采用X射线衍射仪(XRD) 和场发射扫描电子显微镜(SEM) 对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向.对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强.结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学集成电路重点实验室	51	330	10.0	15.0
2	赵晓锋	黑龙江大学电子工程黑龙江省高校重点实验室	27	123	8.0	10.0