MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性

• 作者: 林秀华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/AlGaN 工艺条件 发光二极管 生长动力学
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 324-329
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3
• 字数: 4790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.04.009

摘要

评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结(DH)结构的工艺与特性;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件(温度、气流束源等)对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响.分析表明,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度,气流束源摩尔流量速率.若生长温度太高,引起PL发光谱峰向长波侧移动;GaN缓冲层生长温度必须控制在550℃.高的Ⅴ/Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中550nm辐射峰产生.为了获得高质量p-AlGaN、GaN层,控制生长温度和以Cp2Mg为杂质源的Mg受主掺杂量,并在N2气氛中800℃快速退火,有助于提高InGaN/AlGaN双异质结辐射复合效率.