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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 用飞秒泵浦-探测方法测量了ZnCdSe量子阱/ZnSe/CdSe量子点复合结构样品的透射特性.样品中ZnSe垒层厚度为15nm,泵浦-探测结果得到上升沿时间为367±60fs,下降沿时间为1...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 在考虑电子自旋和声子之间相互作用的同时,采用线性组合算符和微扰法研究半无限TlBr晶体内表面磁极化子处于基态时的振动频率和诱生势与磁场B和距晶体表面距离(坐标)z之间的依赖关系.
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 在能量传递型激光制冷中,对于非均匀线宽比较窄的情况,引起最大制冷效率的激发光频率不随温度的变化而变化,最大制冷效率与温度呈三次幂的关系.对于非均匀线宽比较宽的情况,随着温度的降低,最佳激发光...
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4. 激光制冷中能级间距的选择刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 激光制冷问题的核心是材料的选择.荧光中心能级的间距是其中的一个关键指标. 确定合理的能级间距有助于选择合适的激光制冷材料.能级间距决定了对激光制冷至关重要的两个因素:量子效率和无辐射跃迁速率...
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5. 多孔硅的表面碳膜钝化刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 报道对多孔硅(PS)进行碳膜(CF)钝化处理的结果.红外吸收光谱表明,经钝化处理样品的表面由Si-C、Si-N和Si-O键所覆盖;荧光光谱表明,经钝化处理的样品较未处理的样品发光强度提高4～...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能.结果表明:GaN薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χmin和其补偿度存在一定的依赖...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 借助扫描电子显微镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)研究在不同处理条件下,GaP晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响.实验结果表明:经过CH3CSNH2溶液一定时间钝化处理后...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一.采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流子浓度高达2×1019cm-3,迁移率达120c...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 对与GaAs晶格匹配的四元合金(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)作了变温和变激发功率密度的PL谱研究,发现了PL谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动,但是出现了随温...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 研究铌酸钾锂晶体的近红外透过光谱;利用铌酸钾锂晶体对890～960nm的Ti:sapphire近红外激光进行倍频,获得蓝绿光输出;研究了晶体的倍频特性,探讨了提高晶体倍频效率的方法.
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 通过相同掺杂浓度但不同颗粒尺寸的Eu:Y2O3纳米晶,和相同颗粒尺寸但掺杂浓度不同的纳米晶的发光衰减曲线研究了表面态和限域作用对能量传递的影响.纳米晶与体材料相比,有更高的猝灭浓度,分析了纳...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 用BPO4和稀土氧化物为原料,通过单步灼烧,首次合成了铈、铽、钆共激活的硼磷酸钇绿色荧光粉,利用发射光谱和激发光谱研究了基质中Ce3+、Tb3+、Gd3+的发光以及它们之间的相互作用.结果表...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 利用高温固相法合成了Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05(x=0.6mol%)荧光体.结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的X2型Y2SiO5相,空间群为B2/b.真空紫外光谱表明:随...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 合成了以邻苯二甲酸、 2, 2'-联吡啶为配体, 分别以Eu3+-Tb3+离子和Eu3+-La3+离子为中心体的双核稀土配合物;在323nm紫外光激发下, 测试了配合物的荧光光谱. 结果表明...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 利用火焰原子吸收光谱法(FAAS), 建立了以CaS为基质的粉末发光材料, 包铜量的定量分析方法, 回收率和相对标准偏差分别为 99.4～100.6 与 0.4%. 在准确度满足工艺要求的情...
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16. 不同电致发光材料老化机理的探讨刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 对比了HBr、 HCl和S气氛三种方法制备的电致发光材料的热释光曲线和老化曲线. 得出结论, 三种材料老化速度不同的原因是由于俘获能级的分布不同而引起的. 此外, 杂质的离子半径大小也影响老...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 采用只对红光敏感的光致聚合物全息干版通过He-Ne 632nm激光波长两次掩膜曝光,在面积为30mm×60mm的全息干版上制备出全息光学元件,并成功地用于全混洗光学互连的实验演示.全息光学元...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 研究了极化聚合物薄膜波导的退极化过程, 提出了表征极化聚合物薄膜取向有序度和极化寿命的集成光学方法.采用集成光学中的棱镜耦合技术,测量极化前后聚合物薄膜光波导的各向异性有效折射率.通过求解各...
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19. 金属包覆聚合物平板波导的微扰分析刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 用理想波导耦合模理论为基础的微扰方法分析金属包覆聚合物平板波导,推得波导传播常数的近似解.经数值计算,分别求得传播常数的正确解与近似解,二者相比较,证明近似解具有较高的精确度.从而将求解金属...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要：
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21. 铥配合物的红外有机电致发光刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 合成了两种三价铥配合物,并将其制成双层结构器件.首次得到了直流低压驱动下, 来自铥离子3H4→3H6电子跃迁红外(IR)发光.
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刊名： 发光学报发表期刊： 2000年2期页码:摘要：
发光学报基本信息
| 刊名 | 发光学报 | 主编 | 申德振 |
| 曾用名 | 发光与显示 | ||
| 主办单位 | 中国物理学会发光分会 中科院长春光机所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-7032 | CN | 22-1116/O4 |
| 邮编 | 130033 | 电子邮箱 | fgxbt@126.com |
| 电话 | 0431-86176862，84613407 | 网址 | www.fgxb.org |
| 地址 | 长春市东南湖大路16号 |
发光学报评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 工程索引(美) |
| 4. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 2000年获中科院优秀科技期刊二等奖 |
| 2. | 2001年首批进入期刊方阵 |
| 3. | 2004年被选入中国科技期刊精品库 |
发光学报统计分析
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