(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)PL谱的温度反常现象

• 作者: 吕毅军 郑健生 高玉琳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ化合物 有序结构 光致发光
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 125-128
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1597字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.02.009

摘要

对与GaAs晶格匹配的四元合金(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)作了变温和变激发功率密度的PL谱研究,发现了PL谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动,但是出现了随温度变化的反常行为.从19K开始升温,PL谱峰先向红端移动,到55K左右开始出现蓝移,在84K左右蓝移达到最大,而后随着温度的继续升高,PL谱峰再次向红端移动.整个过程与温度呈Z-型关系,而不是通常半导体样品所表现的线性红移的热猝灭规律.这是首次对四元合金(AlxGa1-x)0.51In0.49P中PL谱的温度反常现象的报道,从另一方面证实了有序结构在(AlxGa1-x)0.51In0.49P中的存在.初步推测,这种温度反常现象是由于有序结构导致的超晶格效应所引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉琳	厦门大学物理系	22	66	4.0	7.0
2	吕毅军	厦门大学物理系	26	77	4.0	8.0
3	郑健生	厦门大学物理系	17	28	4.0	4.0