InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管

• 作者: 刘祥林 汪度 王晓晖 袁海荣 陆大成 韩培德
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 双异质结 蓝光LED 绿光LED
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.05.010

摘要

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长分别为 430～450 nm和520～540nm的蓝光和绿光LED.据查,这是国内首次有关六方GaN基绿光LED的报道.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	19	103	5.0	9.0
2	韩培德	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	35	127	6.0	9.0
3	汪度	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	9	20	3.0	3.0
4	陆大成	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	13	45	4.0	6.0
5	王晓晖	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	11	21	3.0	3.0
6	袁海荣	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	8	39	4.0	6.0