GaAs1-xNx混晶的喇曼散射研究

• 作者: 刘国坤 吕毅军 林顺勇 郑健生 高玉琳
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 喇曼散射 无序效应 应变效应 Ⅲ-V-N半导体
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 326-330
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2004.03.011

摘要

室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1+LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国坤	厦门大学化学系喇曼实验室	17	63	5.0	7.0
2	高玉琳	厦门大学物理学系	22	66	4.0	7.0
3	吕毅军	厦门大学物理学系	26	77	4.0	8.0
4	林顺勇	厦门大学物理学系	3	2	1.0	1.0
8	郑健生	厦门大学物理学系	17	28	4.0	4.0