N型合金半导体的低温电子喇曼散射

• 作者: 连世阳
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: DX中心 电子喇曼散射 低温持续光电导
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 40-45
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3|O474
• 字数: 3335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.1999.01.009

摘要

研究了n-Ga1-x Alx As(x＞0.45)的电子喇曼散射.根据晶格动力论,讨论了Ⅲ-Ⅴ合金半导体的DX中心的物理起因.结果表明在n-Ga1-x Alx As(x＞0.22)中存在施主双稳态特性.在低温下,光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级,此浅施主态引起了间接带隙n-Ga1-x Alx As(x＞0.45)的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙n-Ga1-x Alx As(x＜0.45)的低温持续光电导.当温度升高时,该类氢能级的电子退回到稳定的DX中心的深能态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	连世阳	厦门大学物理学系	1	0	0.0	0.0