(n11)面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究

• 作者: 周伟 孙中哲 张旺 朱作明 李国华 汪兆平 陈晔 韩和相
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: (n11)面 长光学声子模 喇曼散射
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 页码范围: 385-391
• 分类号: TN2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.1999.05.009

摘要

报道不同指数面(n11)上生长的Ga0.5Al0.5As和In0.52Al0.48As系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果.在背散射条件下不同的偏振配置下,观测到这些样品中对应的L0模和T0模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化,同时把这一实验结果与(n11)指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较,实验结果与理论预期的一致.