低N含量GaAsN材料的共振喇曼散射及其带边以上的光致发光光谱

• 作者: Mascarenhas A Tu C W Xin H P Zhang Y 徐仲英 罗向东 葛惟昆 谭平恒
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAsN 共振喇曼散射 光致发光 带隙 等电子掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 397-402
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.003

摘要

利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0+△0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E0+△0和E+能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置.