HVPE生长GaN厚膜的结构和光学性能

• 作者: 刘喆 曾一平 李晋闽 林郭强 段瑞飞 王军喜 马平 魏同波
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 氢化物气相外延 阴极荧光谱 卢瑟福背散射/沟道 黄发射 红外发射
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 1334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.005

摘要

采用自制的立式HVPE设备,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了GaN厚外延膜,利用AFM,SEM,XRD,RBS/Channeling,CL,PL以及XPS等技术分析了厚膜的结构和光学性能.结果表明,外延层表面具有台阶结构,接近以层流生长方式二维生长,一些六角形的坑出现在膜表面,坑区具有很强的发光.腐蚀试验显示EPD仅8×106 cm-2;XRD和RBS/channeling表明GaN膜具有较好的晶体质量;PL结果也证明外延层具有高的质量,出现了尖锐的带边峰,半高宽仅67meV,同时出现了黄带和红外带,这些带的出现可能是由本征缺陷和C,O等杂质引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
3	段瑞飞	中国科学院半导体研究所	8	34	4.0	5.0
4	马平	中国科学院半导体研究所	45	544	12.0	21.0
5	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
6	魏同波	中国科学院半导体研究所	13	254	7.0	13.0
7	林郭强	中国科学院半导体研究所	2	15	2.0	2.0
8	刘喆	中国科学院半导体研究所	16	86	6.0	8.0