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HVPE生长基座结构优化
HVPE生长基座结构优化
作者:
张嵩
徐永宽
程红娟
郝建民
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
模拟
GaN HVPE
基座
衬底
摘要:
GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响.我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布.根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比.结果发现,在实际的大流量载气的GaN生长中,采用优化的圆弧凹面结构石墨基座实验组的GaN晶体外延层的生长速率、生长质量和均匀性等比普通方法生长的更好.本文得到的不同HVPE生长环境下的基座结构优化设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长具有很好的指导意义.
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HVPE生长基座结构优化
来源期刊
材料科学与工程学报
学科
工学
关键词
模拟
GaN HVPE
基座
衬底
年,卷(期)
2014,(4)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
582-586
页数
分类号
TN304.054
字数
语种
中文
DOI
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1
郝建民
中国电子科技集团公司第四十六研究所
23
56
4.0
6.0
2
程红娟
中国电子科技集团公司第四十六研究所
44
47
4.0
5.0
3
徐永宽
中国电子科技集团公司第四十六研究所
28
57
4.0
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张嵩
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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模拟
GaN HVPE
基座
衬底
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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材料科学与工程学报
主办单位:
浙江大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1673-2812
CN:
33-1307/T
开本:
大16开
出版地:
浙江杭州浙大路38号浙江大学材料系
邮发代号:
创刊时间:
1983
语种:
chi
出版文献量(篇)
4378
总下载数(次)
9
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