含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长

• 作者: 于广辉 孟胜 林朝通 王新中 雷本亮 齐鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 氢化物气相外延 低温氮化铝插入层
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 238-240
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.059

摘要

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新中	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	5	160	4.0	5.0
2	雷本亮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	3	1.0	1.0
3	于广辉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	15	32	3.0	5.0
4	孟胜	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	12	8	2.0	2.0
5	林朝通	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	5	1.0	2.0