用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究

• 作者: 俞慧强 修向前 刘斌 华雪梅 张荣 施毅 谢自力 陈鹏 韩平
• 来源期刊: 高技术通讯
• 关键词: 氮化铟(InN) 薄膜 氢化物气相外延(HVPE)
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 先进制造与自动化技术
• 页码范围: 971-974
• 页数: 4页
• 字数: 1946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1002-0470.2014.09.014

摘要

在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al2O3以及GaN/α-Al2O3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究.重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了其表面性质,用霍尔测量研究了其电学性质.X射线衍射的结果表明,直接在α-Al2O3上生长得到的是InN多晶薄膜;而在GaN/α-Al2O3上得到的InN薄膜都只有(0002)取向,并且没有金属In或是In相关的团簇存在.综合分析可以发现,在650℃时无法得到InN薄膜,而在温度550℃时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量.