HVPE异质外延GaN的函数控制方法研究

• 作者: ?张国义 John Goldsmith 于彤军 吴洁君 杜彦浩 杨志坚 罗伟科 韩彤
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 异质外延 HVPE
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 10-11
• 分类号: O484|O782+.7
• 语种: 中文

摘要

提出新的生长控制方式“函数控制方法”并将其应用到HVPE异质外延GaN中.函数控制方法是指外延生长参数随时间按照特定函数变化来实现生长控制的方式.采用函数控制方法设计了两个实验方案,解决了HVPE获得GaN衬底面临的两个主要问题.1)异质外延高质量无裂纹GaN厚膜的实验方案:生长条件按照渐变函数变化保证了外延材料质量的稳定性和应力释放的均匀性,生长条件按照周期函数变化将材料的厚膜外延问题转化为薄膜外延问题.2) GaN厚膜的自分离实验方案:生长条件按照跃变函数变化实现了在外延材料特定位置形成弱连接层,生长条件按照渐变函数变化实现了弱连接层两侧出现较大应力差,这种应力差在生长结束后的降温过程中得到进一步放大,进而实现外延材料在弱连接层处的自分离.结合以上两个实验方案,成功获得无色透明表面平整光滑1 mm厚的高质量GaN衬底,证明了函数控制方法的有效性.借助于生长参数规律化的函数变化,函数控制方法建立了材料性质和数学函数之间的对应和联系,丰富和发展了材料的生长控制方式

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨志坚	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	11	156	4.0	11.0
2	于彤军	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	4	6	2.0	2.0
3	杜彦浩	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	1	0	0.0	0.0
4	罗伟科	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	1	0	0.0	0.0
5	吴洁君	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	1	0	0.0	0.0
6	John Goldsmith		1	0	0.0	0.0
7	韩彤	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	1	0	0.0	0.0