MOVPE生长GaN薄膜的表面吸附和扩散研究

• 作者: 唐斌龙 左然 张红
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MOVPE 表面吸附 表面扩散
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 766-771
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 4211字
• 语种: 中文

摘要

利用量子化学计算方法,对MOVPE生长GaN薄膜的表面反应进行研究.特别针对反应前体GaCH3(简称MMG)在理想、H覆盖和NH2覆盖GaN(0001)面的吸附和扩散进行计算分析.通过建立3×3 超晶胞模型,优化计算了MMG在三种不同覆盖表面的稳定吸附位、吸附能和电子布居,搜寻了MMG在稳定吸附位之间的扩散能垒.计算结果表明:对于三种表面,MMG的稳定吸附位均为T4位和H3位,H3位比T4位略微稳定.MMG在NH2覆盖表面吸附能最大,在H覆盖表面吸附能最小,在理想表面吸附能居中.MMG中的Ga与不同的表面原子形成的化学键的键强的大小顺序为:Ga-N>Ga-Ga>Ga-H.相比于理想表面和H覆盖表面,MMG在NH2覆盖表面的扩散能垒最大,因此表面过量的NH2会抑制MMG的扩散.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	张红	江苏大学能源与动力工程学院	23	150	6.0	12.0
3	唐斌龙	江苏大学能源与动力工程学院	3	2	1.0	1.0