MOVPE生长m面GaN薄膜的表面吸附研究

• 作者: 左朝朝 左然 张国义 童玉珍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: m面GaN MOVPE 表面吸附 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 页码范围: 2022-2027,2033
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 字数: 3664字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的Materials Studio中的CASTEP模块,对金属有机物气相外延MOVPE生长m面GaN薄膜的表面反应前体的吸附过程进行研究.针对吸附粒子GaCH3和NH3在m面GaN表面不同的初始吸附位,优化计算了GaCH3和NH3在表面的吸附能、与近邻原子的距离、态密度、电荷密度分布、电子布居.计算结果表明,GaCH3在表面Ga brg2位优化之后的位置最稳定,吸附能最低,GaCH3中的Ga原子与表面邻近的N原子、Ga原子分别形成Ga-N、Ga-Ga共价键.NH3在表面N brg2位最稳定,吸附能最低,NH3中的N原子与表面邻近的Ga原子形成N-Ga共价键.通过对比在最佳吸附位的MMG中的Ga原子和NH3中的N原子与表面原子的电荷分布情况和布居数,证明上述吸附粒子与表面确实存在共价作用,形成共价键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	49	229	9.0	13.0
3	童玉珍	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	16	63	5.0	7.0
5	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
10	左朝朝	江苏大学能源与动力工程学院	1	0	0.0	0.0