不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响?

• 作者: 冯哲川 刘毅 彭冬生 谭聪聪 陈志刚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: m面GaN 光学性能 分子束外延 表面形貌
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|TN304|TN386.1
• 字数: 2513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.01.004

摘要

采用分子束外延( MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜( SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07 nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘毅	深圳大学师范学院	32	83	6.0	8.0