半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱结构在LED制备中的应用

• 作者: 李果华 杨国锋 高淑梅
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 LED 多波长发光 半极性面
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 行业资讯
• 页码范围: 69-70
• 页数: 2页
• 字数: 1467字
• 语种: 中文

摘要

利用选择性横向外延生长法可以沿不同的生长方向生长出不同的GaN半极性面,进而可以生长出不同的半极性多量子阱LED结构.这种结构可以实现单芯片LED的多波长发光.结果表明:通过生长模板和生长条件的改变可以控制不同GaN半极性面的形成,从而控制InGaN/GaN多量子阱LED的发光波长从蓝光到绿光甚至是白光可调控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李果华	江南大学理学院	30	122	6.0	10.0
2	高淑梅	江南大学理学院	53	167	6.0	10.0
3	杨国锋	江南大学理学院	12	1	1.0	1.0