单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究

• 作者: 张大庆 李国斌 陈长水
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 量子阱垒高 In含量 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 107-115
• 分类号: O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2014.01.016

摘要

通过对InxGa1-xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1-xN的禁带宽度,从而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系.通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系.分析结果表明:1) In含量与发光二极管的光电性能并非成线性关系.2)在电流密度较低时,In组份越小,光谱密度峰值越大,发光功率越大.3)在电流密度较大时,In组份越大,光谱密度峰值越大,发光功率越大.4)光谱蓝移与电流密度大小紧密相关,电流密度大的蓝移程度大,反之越小.因此,应根据不同的电流密度来选择In组份的大小,从而提高发光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈长水	华南师范大学信息光电子科技学院	23	100	6.0	9.0
2	李国斌	华南师范大学信息光电子科技学院	3	10	3.0	3.0
3	张大庆		3	4	1.0	2.0