子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响

• 作者: 苏娟 谭为 高博
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 AlGaN/GaN异质结 InGaN子阱 非对称势垒
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 855-860
• 页数: 6页
• 分类号: TN313+.2
• 字数: 3297字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201705.0855

摘要

利用 Silvaco 软件对 Al0.2Ga0.8N/GaN 共振隧穿二极管(RTD)进行仿真,重点研究了InGaN 子量子阱结构及相应非对称势垒结构设计对其电流特性的影响.对比分析了子量子阱结构中 InGaN的 In组分和子阱厚度对 RTD微分负阻(NDR)特性的影响,得出了提升器件性能的最佳参数范围.为了克服 Al0.2Ga0.8N/GaN RTD 势垒低对器件电流峰谷比(PVCR)的影响,在子量子阱结构的基础上引入了非对称势垒结构设计,通过改变收集区侧势垒的高度和厚度,将 AlGaN/GaN 的 Ip和 PVCR由基本结构的0.42 A和1.25,提高到了0.583 A和5.01,实现了器件性能的优化,并为今后的器件研制提供了设计思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高博	四川大学物理科学与技术学院	92	797	14.0	23.0
2	谭为	中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心	6	7	1.0	2.0
3	苏娟	中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心	3	13	1.0	3.0