低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

• 作者: 万文坚 尹嵘 曹俊诚 王丰 郭旭光 韩英军
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 低温InGaAs InGaAs/InAlAs 多量子阱 分子束外延
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 太赫兹传输、检测与功能器件技术
• 页码范围: 1523-1526
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132506.1523

摘要

采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs 材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300℃、As压为77.3 kPa.通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电阻提高到1.632×106 Ω/Sq,载流子数密度降低至1.058 ×1014cm-3.X射线衍射结果表明:InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量.这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高,是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万文坚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室	6	13	2.0	3.0
2	尹嵘	中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室	1	2	1.0	1.0
3	韩英军	中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室	6	26	3.0	5.0
4	王丰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室	6	23	3.0	4.0
5	郭旭光	中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室	13	71	5.0	8.0