InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析

• 作者: 曾一平 李东临
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HEMT 异质结 二维电子气 自洽计算
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3677-3682
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.079

摘要

利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比(R)先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所材料中心	85	439	11.0	16.0
2	李东临	中国科学院半导体研究所材料中心	2	3	1.0	1.0