MOS沟道和衬底电流的二维分布理论建模

• 作者: 汤玉生 郝跃
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二维分布模型 流函数方程 MOS热载流子可靠性电子学
• 年，卷（期）: 1999,（7）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TN91
• 字数: 3699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1999.07.018

摘要

小尺寸MOS器件参量具有很强的分布效应,需要二维模型描述.本文从y截面流函数方程求解获得了MOS器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型.模型是横向场Ey(y)和纵向场Ex(y)的函数.二维分布模型载有较充分的物理过程,可以基本反映电流密度的实际分布.模型可应用于与电流路径相关的MOS器件特性的研究;特别重要的应用领域是MOS热载流子可靠性电子学中的栅电流分布建模.选用深亚微米MOS器件的横向场Ey(y)和纵向场Ex(y)及IDS模型,所建分布模型可应用于该尺寸区器件的沟道电流和衬底电流二维分布的描述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃		312	1866	17.0	25.0
2	汤玉生		10	76	6.0	8.0